GC74HC4051、4052、4053 是一组用高速CMOS 工艺设计制作的高性能双向模拟开关，这些模拟开关具有很低的导通电阻和很小的关断漏电流。

GC74HC595是8位的串并行转换寄存器，由内部的8位数据存储寄存器来实现其功能的。该存储寄存器具有并行的三态输出驱动器。

GC74HC540 和GC74HC541 三态缓冲器采用高速硅栅CMOS 工艺研发而成。该器件输出驱动电流较大,即使总线有较大的电容也能驱动总线高速运转。

GC74HC245 是三态双向缓冲器，采用先进的硅栅CMOS 制造工艺，可以在 数据总线间实现双向异步通信。

本电路设计的八进制缓冲器和线驱动器是用来提高三态存储器地址驱动器、 时钟驱动器和总线导向接发器的性能和密度

GC74HC164是采用高速硅栅门技术，符合高噪音容限和低功耗标准的 CMOS 集成电路技术。与低功率的肖特基器件兼容。

GC74HC145A 是一款由双竞公司设计开发，采用高压CMOS 工艺生产的BCD-十进制译码/驱动器，可将4 位BCD 码输入的数据译码成十选一的输出驱动信号。

GC74HC138 采用高速硅栅CMOS 技术，具有很小的传输延迟时间，可用于编译存储器地址或数据路由选择应用。

GC74HC132 是高速硅栅CMOS 器件,由四个双端或门组成。与低功耗肖特基TTL(LSTTL)集成电路兼容，所有器件能够驱动10 个肖特基TTL 负载。

GC74HC86 异或门是采用高速硅栅门CMOS 工艺研发而成的具有低功耗和高噪音容限的集成电路，速度可与LS-TTL 门电路相媲美。

GC74HC32 或门采用高速硅栅门CMOS 工艺研发而成，具有集成电路低功耗的特性，速度可与LS-TTL 门电路相媲美。

GC74HC14 采用先进的硅栅门CMOS 工艺研发而成,符合低功耗﹑高噪音容限集成电路标准, 能驱动10 个LS-TTL 负载。

GC74HC08 是高速硅栅CMOS 器件,与低功耗肖特基TTL(LSTTL)集成电路兼容。输出端具有缓冲功能,具有高容噪音特性和驱动10 个肖特基TTL 负载能力。

GC74HC04 反相器采用先进的硅栅门CMOS 工艺研发而成,符合低功耗CMOS 集成电路标准,工作速度可与LS-TTL 相媲美。

GC74HC02 或非门是采用高速硅栅门CMOS 工艺研发而成的低功耗集成电路，速度可与LS-TTL 门电路相媲美。

GC74HC00 与非门是采用高速硅栅门CMOS 工艺研发而成的低功耗集成电路，速度可与LS-TTL 门电路相媲美。